FinFETは中国語でフィン電界効果トランジスタと呼ばれ、新しいタイプの相補型金属酸化膜半導体トランジスタである。従来の標準的な電界効果トランジスタ（FET）の革新的な設計に由来するこの技術は、フィンに似たゲート形状を持つフォーク状の3D構造が特徴で、これにより回路の両側で回路のオン・オフを制御できる。 この設計により、回路制御が劇的に改善され、リーク電流が減少し、トランジスタのゲート長を短くすることができる。

市場概況

FinFET技術の主な利点には、小型化、低消費電力化、高速化などがあり、現代の半導体プロセス技術の重要な構成要素となっている。 

近年、世界のFinFET技術市場は着実な成長を示している。 当社の調査データによると、世界のFinFET技術市場規模は2024年に435億900万米ドルに達し、2023年から10.88％増加すると予測されている。今後、2029年には773億4400万米ドルに増加し続けると予測され、2024年から2029年の年間平均成長率（CAGR）は12.19％と推定されます。

下流アプリケーション分析

下流アプリケーションパターンから見ると、FinFET技術は主にスマートフォン、コンピュータとタブレット、ウェアラブル機器、自動車、ハイエンドネットワークで使用されている。中でもスマートフォンは最大の下流アプリケーション市場となり、2024年のアプリケーションシェアは41.26%と推定されます。

競合パターン分析

市場競争パターンから見ると、世界のFinFET技術市場は集中度が高い。

データによると、2023年、業界トップ3企業のFinFET技術生産額は合計219億6,200万ドルに達し、総生産額シェアは55.97%を占めている。トップ3企業はTSMC Ltd.、サムスン電子株式会社、インテル株式会社で、この3社のFinFET技術生産額における世界市場シェアはそれぞれ26.76%、18.65%、10.56%を占めています。